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2007年3月28日 (水)

徐々に復活したらFETが壊れた主因が解ったような・・・

Igbt01 絶対値的には決して良い状態では無いのだけれど、前の日よりは良くなっているのは確か。パーセントのレベルじゃなくて1割2割のレベルで改善しているような気がする。良かった。

 とは言ってもまだまだ動く気にはなれないし、XSのエンジンをかける気にもなれない。仕方がないのでイグナイタの試験機を引っ張り出してバチバチ言わせて遊んでいたら大発見。

 詳しくは別に纏めるとして結論から言うと、抵抗入りのプラグやプラグコードを使って容量放電電流を低い値に抑えると、当然ながら各部のノイズは激減する。するとすると・・・今まで壊れ続けてきた素子が壊れなくなってしまった。

 画像は秋月の300円IGBT、プラグコードを抵抗入りに変えただけでサプレッサダイオードすら使っていない。そのために自己の降伏電圧である650V近辺で延々と降伏している。でも壊れない。今まで壊れて居たのの大半?は、容量放電によるノイズがゲート辺りに回り込んでおかしくして居たんじゃ無かろうかと予想。

 少なくとも手持ちのIGコイルでは、このIGBTを650Vで降伏させて壊すことは出来ないことが確かめられた。松下のFETほど全部がタフじゃ無いけれど、容量放電によるノイズさえ押さえてやれば、他の素子の活用の可能性が出てきたのは素晴らしい一歩かと思う。

 それにしても今までやってきた事は何だったんだろう。何個も素子を壊して原因を想像して試験して、まあそのうちのいくつかはその時に考えた事が原因だったのかもしれないけれど、どの試験においても容量放電電流が、破壊の一因と成っていたのは間違いない。

 課題は沢山あるけれど、イグナイタ事業部にとって重要な一日になった。

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